Iznimna tvrdoća i mehanička čvrstoća
Mohsova tvrdoća ~9,5, odmah iza dijamanta i bor nitrida.
visokootpornost na trošenje, što ga čini idealnim za abrazivne primjene (npr. brusne ploče, alati za rezanje).
Održava mehaničku stabilnost čak i pod ekstremnim stresom.
Svojstva poluvodiča sa širokim pojasnim razmakom
Razmak pojasa od 3,26 eV (4H-SiC), znatno veći od silicija (1,12 eV).
Omogućuje rad navišim naponima, temperaturama i frekvencijama.
Smanjuje gubitke energije u energetskoj elektronici.
visokokritična jakost električnog polja(10x više od silicija), što omogućuje tanje, učinkovitije dizajne uređaja.
Izvanredna toplinska svojstva
Visoka toplinska vodljivost (~490 W/m·K za 4H-SiC na sobnoj temperaturi), nadmašujući većinu metala i poluvodiča.
Izvrsnorasipanje topline, ključni za energetsku elektroniku i visokofrekventne uređaje.
Toplinska stabilnost do 1600 stupnjeva(talište ~2,700 stupnjeva), pogodan za ekstremna okruženja (npr. zrakoplovstvo, nuklearni reaktori).
Ključne prednosti u odnosu na tradicionalne materijale
| Vlasništvo | silicijev karbid (SiC) | Silicij (Si) | Galijev nitrid (GaN) |
|---|---|---|---|
| Razmak između pojaseva (eV) | 3.26 | 1.12 | 3.4 |
| Toplinska vodljivost | Visoko (~490 W/m·K) | Nisko (~150 W/m·K) | Umjereno (~253 W/m·K) |
| Maks. radna temp. | ~600 stupnjeva + | ~150 stupnjeva | ~300 stupnjeva |
| Jačina električnog polja | 10x Si | Osnovna linija | ~3x Si |
Popularni tagovi: ključne karakteristike silicij karbida sic, Kina ključne karakteristike silicij karbida sic proizvođači, dobavljači, tvornica